国家/地区 中国（104） 美国（3） 澳大利亚（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 H（106） C（24） B（6）
G（3）
IPC大类 H01（106）
IPC小类 H01L（73） H01Q（21） C01B（13）
C23C（9） C30B（8） B82Y（5）
H01G（5） H01P（4） G02B（2）
H01C（2） H01M（2）
IPC H01L021/02（20） H01L021/336（13） H01Q015/00（11）
C01B031/04（10） H01Q017/00（10） H01L021/04（8）
H01L021/205（8） H01L021/335（8） H01L029/78（8）
H01L029/786（8） C30B025/18（6） H01L029/423（6）
H01L029/778（6） H01G011/86（5） H01L021/324（5）
发明人 HAO Y（44） ZHANG J（44） NING J（33）
WANG D（32） ZHANG Y（29） GUO H（26）
LEI T（22） ZHANG K（20） ZHAO Y（20）
ZHANG C（18） HU Y（14） WU B（14）
CHAI Z（13） HAN D（13） YAN Y（13）
公开年 2013（29） 2021（14） 2022（11） 2018（10） 2012（9） 2019（8） 2017（6） 2014（5） 2023（5） 2016（4） 2020（4）
申请年 2012（28）  2013（13）  2021（11）  2022（11）  2017（8）  2018（8）  2019（8）  2020（8）  2016（5）  2014（3）  2023（3） 
专利权人 UNIV XIDIAN（106）

Broadband and multi-frequency switchable wave-absorbing and polarization conversion reconfigurable super-surface, has first medium substrate whose upper surface is printed with square graphene patch, and second medium substrate whose lower surface is printed with metal bottom plate.

ZHANG S, LIU G, YANG R

Step impedance graphene based three-dimensional inserting sheet type wave absorber, has supporting substrate that adopts inserting type cross symmetrical structure to form device.

SU T, ZHANG D, ZU H, CHEN B, MA S, WU B

Reconfigurable ultra-wideband ultra-surface unit with dual functions of wave absorption and polarization conversion for terahertz wave absorption and terahertz communication, has first medium substrate with graphene patch printed on upper surface.

LIU G, YANG R

Integrated self-charging system of perovskite flexible solar cells and lithium-sulfur batteries comprises perovskite flexible solar cell including e.g. flexible substrate, transparent conductive layer, lithium-sulfur battery includes anode, cathode and solid electrolyte.

HAO Y, ZHANG J, WEI W, LIN Z, ZHANG M, GUO X, YANG W, CHANG J

Preparing large-scale wafer transparent gallium nitride hetero-junction (HEMT) device in radio frequency device and power electronic device field, involves preparing transparent gallium nitride HEMT device wafers on large-scale silicon wafers, turning over transparent gallium nitride device wafer.

HAO Y, ZHANG J, ZHOU J, ZHANG W, HOU S, XING W, WEI H, XU S, ZHAO X, LIU Z

Manufacturing gallium oxide-based power transistor with low-ohm contact, involves obtaining beta-gallium oxide substrate, depositing nickel/gold lamination on dielectric layer, manufacturing interconnection lead and manufacturing of gallium oxide base power transistor of low-ohm contact resistor.

HAO Y, LI Y, ZHENG X, LU X, HE Y, MA X

Preparation method for two-dimensional floating gate photoelectric transistor, involves stacking single-layer charge graphene trapping layer/tunneling layer/two-dimensional transition metal sulfide channel layer.

HAN G, LIU Y, ZHANG S, YANG Q, LUO Z

Gallium oxide solar blind UV detector used for fire early warning, target identification and information communication, comprises substrate, first gallium oxide channel layer, graphene layer, metal nano-structure layer and second channel layer.

HAO Y, ZHANG J, LIN Z, CHEN Z, CHANG J, SU J

Van der Waals epitaxial gallium nitride high electron mobility transistor device useful in power electronic system, has through hole opened in middle of substrate, two-dimensional material layer, first aluminum nitride layer, and second aluminum nitride layer.

HAO Y, MA P, ZENG Y, ZHANG C, ZHAO J, ZHANG J, WANG D, WU J, NING J

Transparent gallium nitride (GaN)-based transistor comprises substrate layer from bottom to sequentially, channel layer and barrier layer and source electrode located on barrier layer, gate electrode and drain electrode.

HAO Y, ZHANG J, ZHOU J, YANG W, FENG X, XING W, HE J, XU S, ZHAO X, LIU Z